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PECVD做為大學實驗室常用的實驗型等離子鍍膜設備,因其較低的鍍膜溫度和均勻的鍍膜質量,受到大學師生的喜愛,那么在選擇PECVD的時候有什么需要注意的呢?下面就來看看吧!

用于某大學做等離子鍍膜的PECVD電爐(點擊圖片查看產品詳情)
性能參數
沉積薄膜類型和質量:根據研究需求,確定設備能沉積的薄膜種類,如二氧化硅、氮化硅、類金剛石等,并考察其成膜質量,包括膜的均勻性、致密度、針孔密度等。例如,用于半導體器件制造的薄膜,對均勻性和致密度要求較高。
溫度范圍:設備的基本溫度通常在 300 - 500°C,要根據具體實驗需求選擇合適的溫度區間,且控溫精度要高,一般需達到 ±1℃,以保證薄膜質量的一致性。
沉積速率:沉積速率會影響實驗效率,不同的應用場景對沉積速率要求不同。例如,在大規模制備薄膜時,較高的沉積速率可以提高生產效率,但對于一些對薄膜質量要求很高的實驗,可能需要適當降低沉積速率以保證薄膜的性能。
射頻電源:射頻 PECVD 通常采用 50kHz - 13.56MHz 頻段射頻電源。高頻時,等離子體中離子的轟擊作用強,淀積的薄膜更加致密,但對襯底的損傷也較大;高頻淀積的薄膜均勻性明顯好于低頻。同時,要考慮射頻功率的輸出范圍和穩定性,功率越大離子的轟擊能量越大,有利于改善淀積膜質量。
真空系統:真空度對薄膜質量有重要影響,一般要求極限真空能達到較高水平,如 10?? Pa 甚至更低。真空系統的抽氣速度也很關鍵,它決定了設備的工作效率,通常采用干泵和分子泵組合的方式,干泵用于抽低真空,分子泵用于抽高真空。
樣品處理能力
樣品尺寸:根據大學實驗中常用的樣品尺寸來選擇設備,如能否處理 3 英寸、4 英寸、6 英寸甚至更大尺寸的基片。如果主要研究納米材料或小型器件,可能小型的樣品臺就足夠;但如果涉及到較大面積的薄膜沉積或批量處理,就需要較大尺寸的樣品臺。
樣品形狀:除了常見的圓形或方形基片,還要考慮設備是否能適應特殊形狀的樣品,如曲面、不規則形狀等。有些 PECVD 設備的樣品臺可以進行特殊設計或配備相應的夾具來固定不同形狀的樣品。
自動化程度與控制功能
智能控制系統:具備良好的智能控制系統,如通過計算機軟件進行操作和監控,可實現對工藝參數的精確控制和實時監測,包括溫度、氣體流量、射頻功率、真空度等。還能預存多條工藝曲線,方便不同實驗的重復操作。
遠程控制:考慮設備是否支持遠程控制功能,這對于大學實驗室的管理和使用非常方便,可以在不進入實驗現場的情況下進行設備的啟動、停止、參數調整等操作,提高實驗的靈活性和效率。
氣體及流量控制系統
氣體種類:根據實驗需要,確定設備能支持的氣體種類。常見的工藝氣體有 SiH?、NH?、N?O、N?等。一些特殊的薄膜沉積可能需要使用多種氣體,因此設備的氣路系統應具備足夠的通道來供應不同的氣體。
流量控制精度:氣體流量的精確控制對薄膜的沉積質量至關重要,通常采用質量流量計來實現,要求流量控制精度達到較高水平,如≤±2%(滿量程)。
安全性能
氣體安全:配備完善的氣體安全保護裝置,如氣體泄漏檢測、報警系統,以及緊急切斷閥門等,以防止有毒、易燃、易爆氣體泄漏造成安全事故。
電氣安全:設備應具備良好的電氣絕緣性能和接地措施,防止操作人員觸電。同時,要有過流、過壓、過熱等保護功能,以保護設備和實驗人員的安全。
品牌與售后服務
品牌信譽:選擇知名品牌的設備,其在質量、性能和穩定性方面通常更有保障。可以參考其他大學或科研機構的使用評價和經驗,了解不同品牌的口碑和市場認可度。如北方華創等在半導體設備領域有較高的知名度和良好的信譽。
售后服務:良好的售后服務是設備長期穩定運行的重要保障。包括設備的安裝調試、培訓、維修保養、備件供應等。供應商應具備專業的技術支持團隊,能夠及時響應并解決設備在使用過程中出現的問題。
預算
設備價格:不同品牌、型號和配置的 PECVD 設備價格差異較大,從幾十萬元到數百萬元不等。在選擇時要根據大學的科研經費預算來確定合適的設備檔次和規格。但不能僅僅以價格作為唯一的選擇標準,要綜合考慮設備的性能、質量和售后服務等因素。
運行成本:除了設備的采購成本,還要考慮設備的運行成本,包括電力消耗、氣體消耗、維修保養費用等。例如,一些高性能的設備可能需要消耗更多的電力和昂貴的工藝氣體,這會增加長期的運行成本。
總的來說,在選擇大學的PECVD電爐的時候,應該注意以上幾點,可以在選擇之前跟相關的技術人員或者業務經理溝通自己所需的配置,這樣才能保證鍍膜結果更符合自己的要求!點擊了解更多PECVD電爐!或者點擊咨詢在線客服定制各種不同型號電爐!